Оптическая схема наиболее распространенного электронного микроскопа просвечивающего типа показана на рис. I. 14. Источником электронов в пучке / является нагретая вольфрамовая нить, отрицательный потенциал которой поддерживается высоким (50, 100 кВ). Копдепсорцая магнитная или электростатическая линза 2 фокусирует пучок электронов 3 па изучаемом объекте 4.
Системами магнитного объектива 5, проектора 6 изображение проецируется на экран 7, представляющий собой металлическую пластину, покрытую специальным составом, светящимся при попадании на него электронов. На экране может быть установлена фотопластинка.
Электроны, проходя через исследуемый образец, сильно его нагревают, поэтому для исключения искажения структуры требуется тщательная подготовка препарата. Она заключается в приготовлении тонких пленок (до 30 им) для подложки исследуемого препарата. Для изучения поверхности волокон приготавливают реплики-отпечатки.
При использовании растрового электронного микроскопа не требуется приготовления реплик, ультратопких срезов. Растровые электронные микроскопы получили широкое развитие в 60-х гг. и в настоящее время применяются во всех областях науки и техники. Блок-схема растрового микроскопа BS-300 фирмы «Тесла» (ЧССР) показана на рис. I. 15.
От электронной пушки 15 электронный луч 14 в виде зонда диаметром около 10 им просматривает пробу . Двухкаскадными катушками 13 осуществляется юстировка электронного пучка. Диаметр пучка уменьшается двухкаскадными конденсаторами 11 и 12, которые получают питание от стабилизированного источника тока 10.